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전체게시물 총 60건 검색 제목 내용 제목+내용 작성자 전체CleaningDiffusionEpitaxyEtchingLithographyMeasurement & AnalysisThin film후공정기타 장비 장비이름 [Diffusion]RTA ? Temperature Repeatability: < +-2C @ 400~1000C ? Ramp-up Rate: > 150C/sec @400~1000C ? Ramp-down Rate: >70C/sec @800~1200C ? Gas Flow: N2 O2 Ar H2 ? Chamber Heating: 150~1100C ? Vacuum Capacity: 10-7Torr (실제:10-3Torr) ? Interlock to prevent hazardous mixing of gases 제작사 AP시스템 모델명 RTP 601S 도입연도 2005-03-01 용도 대기 및 진공중에서 할로겐램프를 이용하여 웨이퍼를 급속가열 반도체 소자의 어닐링 공정 및 열처리 공정에 의한 실리콘 기판의 산화와 질화막 형성 장비이름 [Diffusion]RTA ? wafer size : Pieces ~ 6 inch ? Heating 텅스텐-할로겐 램프 사용 ? 온도 측정 : T/C & pyrometer. ? SiC Suscepter 사용 ? 온도 대역 : 200 ~ 1000 °C (T/C) 제작사 AP시스템 모델명 RTP 600 도입연도 2005-03-01 용도 단시간내 고온 열처리 공정 장비이름 [Cleaning]Spin Dryer ? Wafer size : 2, 4, 5, 6 inch ? RPM Range : 0 ~ 3500 (공정별 Step 제어) ? Exhaust : PVC 40A ? Drain : PVC PIPE 32A ? N2 Supply : 3/8“ SUS316L tube ? DI Supply : 1 ~ 7 LPM ? System specifications - Capacity : 1 Wafer carrier up to 6“ - Outer Dimensions (Rinse/Dryer) : 18.87“ Wide * 26.25” deep * 20.50“ high - Bowl Dimension : 11.25“ ID by 9.31” Deep - DI nozzels : 6 - Drain : 1.5“ NPT - Rinse Cycle : 0 to 3200 RPM - Dry Cycle : 0 to 3200 RPM - Rinse Timer : 0 to 9999 Seconds - Rinse Timer : 0 to 9999 Seconds ? DI Water : 1.75 gpm 25psi (3/8“) ? DI Return : 5 psi (3/8“) ? System N2 : 3.0 ~ 4.0 cfm ? Electrical : 15AMP 120VAC 50/60Hz 제작사 Verteq 모델명 Spin Rince Dryer 도입연도 2005-12 용도 웨이퍼 Dry 처리 장비이름 [Lithography]PR Asher (Low Pressure Plasm System) ? Plasma excitation frequency: Microwave (2.45 GHz) ? Plasma power: 50-300 W ? Gas inlets with mass-flow-controller: 1 channel ? Power supply: 230 V, 50/60 Hz ? Power input (without vacuum pump): 0.5 kVA ? Vacuum gauge: Pirani ? Weight: 100 k 제작사 Plasma Finish 모델명 LPPS 도입연도 2005-02 용도 변형되거나 잔여 PR 제거 장비이름 [Lithography]Mask Aligner ? Alignment Mode : Manual ? Alignment Accuracy : top-side?1um, bottom-side?2um ? Print mode : Proximity & Contact, soft contact, hard contact, low vacuum & vacuum contact ? Wavelength : 365 nm ? Microscope Magnification : 5x ? Resolution : 1 um ? Possible Mask : 4-6 inch mask 제작사 Suss Microtec 모델명 MA6 도입연도 2004-05 용도 포토리소그래피 공정에 사용되는 장비로 반도체 소자 혹은 집적회로의 형상의 마스크 패턴을 웨이퍼 표면의 포토레지스트(PR)에 전사하는 장치 장비이름 [Measurement & Analysis]4-Point Probe System ? Sheet resistance measurement - Measuring method : Contacted by 4-point probe - Measuring range : 1 mohm/sq ∼ 2 Mohm/sq - Measuring point : Center 1 point ? Resistivity measurement - Measuring method : Contacted by 4-point probe (Input thickness) - Measuring range : 10.0 μohm·cm ∼ 200.0 kohm·cm (VLSI standard wafer) - Measuring point : Center 1 point ? Current source - 10nA to 100mA - DVM 0V to 2,000mV ? Measurement accuracy - ±0.5 % (Precision resistor) ? JANDEL 4-point probe - Pin spacing : 20 mils ∼ 50 mils - Pin load : 10 gram/pin ∼ 250 gram/pin - Pin radius : 12.5 micron ~ 500 micron 제작사 에이아이티 모델명 CMTSR1000N Sheet Resistance/Resistivity Measurement System 도입연도 2006-01 용도 면저항 측정 <<12345678910