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전체게시물 총 60건 검색 제목 내용 제목+내용 작성자 전체CleaningDiffusionEpitaxyEtchingLithographyMeasurement & AnalysisThin film후공정기타 장비 장비이름 [Measurement & Analysis]Step Height Measurement . 제작사 KLA-Tencor Co. 모델명 AlphaStep IQ 도입연도 2004-12-12 장비이름 [Thin film]PECVD ? Use : Silicon dioxide and silicon nitride ? Wafer size : 6 inch wafer ? Product wafer : Single wafer process ? Substrate temperature : RT ~ 400°C ? Ultimate pressure : ?5x10-6 Torr ? Source Process : SiH4, N2O, NH3, CF4 ? RF generators : 13.56MHz and 400KHz ? Gas : line and cabinet installation with safety parts (automatic control) ? Scrubber : burn and wet type installation 제작사 Oxford 모델명 System100 (100 DP) 도입연도 2016 용도 강한 전압으로 야기된 Plasma를 이용하여 반응물질을 활성화 시켜서 기상으로 증착 (SiOx, SiNx) 장비이름 [Thin film]RF Sputtering System ? Source : RF 0.6kW (3 set) ? Main pressure : 7 ×10-7 torr ? Process pressure : 3×10-3 torr ? Target size : 3" ? Deposition temperature : 400 ℃ max. ? Chamber : Main & Loadlock ? Control type : Auto/PC Programmable ? Substrate : Max. 3" (from piece) 제작사 Aja International 모델명 ATC 1300 도입연도 2006-08-07 용도 RF Plasma 를 사용하여 Oxide 및 금속을 증착하는 장비 장비이름 [Thin film] DC Sputtering System 1. Process ? Thin film co-sputtering deposition ? Deposition metal : Metal, Al, W, Pt, Etc ? Substrate Size : 4 inch single wafer 2.Depostion method ? Magnetron sputtering deposition : 3 inch target ? Dc power : 0 ~ 1,000 W ? Source gas : Ar 3.Performance ? Base pressure : 8 x 10E-7 torr ? Throughput : 1 sheet/ batch ? Thickness uniformity : ≤± 3% ? Manual operation by PLC 제작사 알파플러스 모델명 ALPS CS series 도입연도 2006-05-01 용도 Magnetron Sputtering system(DC)를 사용하여 금속을 증착하는 장비 장비이름 [Lithography]Spin Coater ? Substrate Size : Piece∼4" wafer ? Chuck rotation speed : 100∼8000rpm ? DC Servo Motor Spin state : 50Step, 20Recipe(Digital Program Type ? Time : 1∼999sec ? Variable Bowl size : 8inch, Al, SUS, Teflon, PP, etc ? Vacuum chuck : anodized Al, Acetal, Teflon, etc ? Electrical Power : 220V, 5A ? Dimension(mm) : 230×340×160 ? Oilless Vac & pressure : -650mmHg 제작사 마이다스시스템 모델명 spin-1200D 도입연도 2016-02-04 용도 PR 코팅 및 기다 용액 코팅 장비이름 [Epitaxy]MOCVD ? Wafer size : 2 inch x 6장 ? 증착물질 : GaN, InGaN, AlGaN, AlN, BN 등의 nitride계 화합물 반도체 ? 박막의 두께 균일도 : 2% 이내 ? 성장 방법 : MO source와 암모니아를 이용하여 약 1300도 이하에서 성장 ? Susceptor (chamber 내 홀더) : 0 ~ 200 RPM 회전 - Emissivity corrected pyrometry at 950nm ? Scurbber - 용도 : Toxic gas 처리 장치 - 약 650도에서 Burn 방식으로 처리 ? H2 purifier system - 용도 : 초고순도 수소 정제기 시스템 - Getter filter를 이용한 1차, 2차 수소 정제기와 PD cell을 이용한 3차 수소 정제기로 구성 - 99.9999% 이상의 수소 순도 유지 - Hygrometer : 약 ?90도 이하 유지 제작사 탑엔지니어링 모델명 phaethon100U 도입연도 2013-03-04 용도 GaN, AlN, BN 성장 <<12345678910