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전체게시물 총 60건 검색 제목 내용 제목+내용 작성자 전체CleaningDiffusionEpitaxyEtchingLithographyMeasurement & AnalysisThin film후공정기타 장비 장비이름 [Measurement & Analysis]LED Test System ? Wavelength Range : 380 ~ 780nm ? Optional Wavelength : consult factory ? Wavelength Accuracy : ±0.5nm ? Optical Bandwidth (with 100 micron slit) : 2.0nm ? Spectral resolution : 100 micron (Standard), 50 & 200 micron (optional) ? Optical focal length : 140nm ? Optical Aperture : f/2 ? Operating Temperature : 0 to 40°C ? Spatial Radiation Angle : 0 ~ ±90° ? Optical Probe : 0.01sr (100mm), 0/001sr (316mm) ? Current : 0 ~ 3A ? Voltage : 0 ~ 60V ? SMD LED Chip Probe Station Maximum Luminous Flux : 80 lm 제작사 Optronic Laboratories 모델명 OL770 UV/VIS 도입연도 2004-03 용도 LED의 광출력, 지향각, 광색도, 발광파장, 구동전압 등 특성을 평가함. LED 램프뿐만 아니라 LED 칩을 프로빙하여 측정 장비이름 [Measurement & Analysis]FE-SEM ? Resolution : - 1.5 (at accelerating voltage of 15kV Working distance of 5mm) - 5.0 (at accelerating voltage of 1kV Working distance of 5mm) ? Magnification : -20x to 500000x ? Electron Optics - Electron gun : Cold-cathode field emission electron gun (ZrO/W) - Emission extracting voltage(Vext) : 0 to 6.5 kV - Schottky emission source Accelerating voltage (Vacc) : 0.5 to 30kV (in increment of 0.1kV/step) - Lens system : Electromagnetic lens reduction system - Objective lens aperture : Movable self-cleaning type thin aperture ? Specimen Size : 120 ~ 160 mm dia 제작사 Hitachi 모델명 S-4300 SE 도입연도 2004-01 용도 반도체소자를 포함한 여러 물질의 표면형태 분석과 부속장치를 이용한 Cathodoluminescence 측정 및 Lithography 공정 장비이름 [Measurement & Analysis]Electrochemical CV Profiler ? Carrier Concentration : 10E13 ~ 10E-3cm-3 ? Type : n- and p- type ? Material : GaN, GaAs, InP, Si ? Sealing ring size - the large ring : 3.5mm diameter (normally 0.1cm2) - the small ring : 1mm diameter (normally 0.01cm2) ? Desiding on ring size - the large ring : At higher carrier concentration (above 5E18cm-3) - the small ring : carrier concentration (1E13 to 1E20cm-3) 제작사 Accent Optical Technologies 모델명 PN4300 도입연도 2004-12 용도 반도체 기판을 식각하면서 반도체 표면으로부터 깊이에 따른 도핑농도를 분석 장비이름 [Measurement & Analysis]Ion sputter (SEM) ? Discharge Mode : Diode discharge - Discharge Electrode : ring (63mm diameter) - Discharge Voltage :DC 2.5kV 0.5kV - Discharge Current : DC 0 to 30mA ? Standard target : Pt ? Coating rate (Maximum) - Pt : 6nm/min ? Specimen - Max dia : 50mm - Max height : 15mm 제작사 Hitachi 모델명 E1010/E1020 도입연도 2005-11 용도 SEM 측정 시 측정 물질의 특성 때문에 측정이 되지 않는 것을 대비하여 측정물질을 볼 수 있게 도와주기 위해 특정 물질을 증착 장비이름 [Thin film]PECVD ? Use : Silicon dioxide and silicon nitride ? Wafer size : 6 inch wafer ? Product wafer : Single wafer process ? Substrate temperature : RT ~ 400°C ? Ultimate pressure : ?5x10-6 Torr ? Source Process : SiH4, N2O, CF4 ? RF generators : 13.56MHz and 400KHz ? Gas : line and cabinet installation with safety parts (automatic control) ? Scrubber : burn and wet type installation 제작사 Bmr Technology 모델명 HiDep 도입연도 2005-02 용도 강한 전압으로 야기된 Plasma를 이용하여 반응물질을 활성화 시켜서 기상으로 증착 장비이름 [Thin film]E-beam Evaporator ? Process Chamber : Stainless steel ? Sample Size : 4inch ~ ? Vacuum Gauge Controller : ATM ~ 1.0E-10Torr ? Power Supply Unit : 6kW, 8kW, 10kW ? Crucible Size : 4cc, 7cc, 15cc, 25cc ? Pocket Number : Single, 4, 6 ? Film Thickness Uniformity : < ±5% ? Ultimate Pressure : < 5.0E-7Torr ? Metals : Ti, Pt, Ni, Cr, Au, Ag, Zn 등 제작사 Korea Vacuum Tech 모델명 KVE-E2000 도입연도 2005-02 용도 Cryo pump와 Rotary를 사용하여 2x10-7Torr 이하의 Base Pressure에서 Evaporator process를 하는 장비 <<12345678910