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장비 > ICP-RIE(CL)
ICP-RIE(CL) | |||||
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작성자 | 관리자 | 등록일 | 22-02-14 12:44 | 조회 | 697 |
제작사 | TE-3100 | 모델명 | TE-3100 | 도입연도 | 2016 |
용도 | 플라즈마를 이용해 Chemical 과 Physical 방식을 혼합하여 사용하는 건식 식각을 하며 Anisotropic과 Selectivity, Etch Rate의 특성을 선택적으로 고를 수 있음 | ||||
? 사용용도 : 화합물 반도체 및 그 응용분야 ? Wafer 규격 : 조각 wafer에서 8 inch까지 ? 기판 냉각 온도 : 30°C 이하 ? Chuck 냉각 방식 : Chiler 및 He 냉각 ? Chamber 내 기본 진공도 : ?1x10-5 Torr ? 고진공 Pump 장치 및 용량 : 자기 부상형 Turbo Molecular Pump ? 1300 liter/s 이상 ? 저진공 Pump 방식 : 건식 방식 Pump 50 CFM 이상 ? 사용 가스 : Ar, O2, CF4, Cl2, BCl3, N2 ? ICP source power : RF 방식 1.25kW 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching) ? Chuck bias power : RF 방식 600W 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching) |
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첨부파일 |
ICP-RIE+(for+Chloride)+(1).jpg |