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장비 > MOCVD
MOCVD | |||||
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작성자 | 관리자 | 등록일 | 21-03-25 16:19 | 조회 | 580 |
제작사 | 탑엔지니어링 | 모델명 | phaethon100U | 도입연도 | 2013-03-04 |
용도 | GaN, AlN, BN 성장 | ||||
? Wafer size : 2 inch x 6장 ? 증착물질 : GaN, InGaN, AlGaN, AlN, BN 등의 nitride계 화합물 반도체 ? 박막의 두께 균일도 : 2% 이내 ? 성장 방법 : MO source와 암모니아를 이용하여 약 1300도 이하에서 성장 ? Susceptor (chamber 내 홀더) : 0 ~ 200 RPM 회전 - Emissivity corrected pyrometry at 950nm ? Scurbber - 용도 : Toxic gas 처리 장치 - 약 650도에서 Burn 방식으로 처리 ? H2 purifier system - 용도 : 초고순도 수소 정제기 시스템 - Getter filter를 이용한 1차, 2차 수소 정제기와 PD cell을 이용한 3차 수소 정제기로 구성 - 99.9999% 이상의 수소 순도 유지 - Hygrometer : 약 ?90도 이하 유지 |
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첨부파일 |
Image3.jpg |