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RTA
작성자 관리자 등록일 21-03-25 16:15 조회 601
제작사 AP시스템 모델명 RTP 601S 도입연도 2005-03-01
용도 대기 및 진공중에서 할로겐램프를 이용하여 웨이퍼를 급속가열 반도체 소자의 어닐링 공정 및 열처리 공정에 의한 실리콘 기판의 산화와 질화막 형성

? Temperature Repeatability: < +-2C @ 400~1000C
? Ramp-up Rate: > 150C/sec @400~1000C
? Ramp-down Rate: >70C/sec @800~1200C
? Gas Flow: N2 O2 Ar H2
? Chamber Heating: 150~1100C
? Vacuum Capacity: 10-7Torr (실제:10-3Torr)
? Interlock to prevent hazardous mixing of gases
첨부파일 Image1.jpg
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