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장비 > RTA
RTA | |||||
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작성자 | 관리자 | 등록일 | 21-03-25 16:15 | 조회 | 600 |
제작사 | AP시스템 | 모델명 | RTP 601S | 도입연도 | 2005-03-01 |
용도 | 대기 및 진공중에서 할로겐램프를 이용하여 웨이퍼를 급속가열 반도체 소자의 어닐링 공정 및 열처리 공정에 의한 실리콘 기판의 산화와 질화막 형성 | ||||
? Temperature Repeatability: < +-2C @ 400~1000C ? Ramp-up Rate: > 150C/sec @400~1000C ? Ramp-down Rate: >70C/sec @800~1200C ? Gas Flow: N2 O2 Ar H2 ? Chamber Heating: 150~1100C ? Vacuum Capacity: 10-7Torr (실제:10-3Torr) ? Interlock to prevent hazardous mixing of gases |
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첨부파일 |
Image1.jpg |