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ICP-RIE(CL)
작성자 관리자 등록일 22-02-14 12:44 조회 696
제작사 TE-3100 모델명 TE-3100 도입연도 2016
용도 플라즈마를 이용해 Chemical 과 Physical 방식을 혼합하여 사용하는 건식 식각을 하며 Anisotropic과 Selectivity, Etch Rate의 특성을 선택적으로 고를 수 있음

? 사용용도 : 화합물 반도체 및 그 응용분야
? Wafer 규격 : 조각 wafer에서 8 inch까지
? 기판 냉각 온도 : 30°C 이하
? Chuck 냉각 방식 : Chiler 및 He 냉각
? Chamber 내 기본 진공도 : ?1x10-5 Torr
? 고진공 Pump 장치 및 용량 : 자기 부상형 Turbo Molecular Pump ? 1300 liter/s 이상
? 저진공 Pump 방식 : 건식 방식 Pump 50 CFM 이상
? 사용 가스 : Ar, O2, CF4, Cl2, BCl3, N2
? ICP source power : RF 방식 1.25kW 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)
? Chuck bias power : RF 방식 600W 13.56MHz 자동 안정화 기능(auto matching)
첨부파일 ICP-RIE+(for+Chloride)+(1).jpg
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