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장비 > PECVD
PECVD | |||||
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작성자 | jnsinc | 등록일 | 21-01-20 15:44 | 조회 | 473 |
제작사 | Bmr Technology | 모델명 | HiDep | 도입연도 | 2005-02 |
용도 | 강한 전압으로 야기된 Plasma를 이용하여 반응물질을 활성화 시켜서 기상으로 증착 | ||||
? Use : Silicon dioxide and silicon nitride ? Wafer size : 6 inch wafer ? Product wafer : Single wafer process ? Substrate temperature : RT ~ 400°C ? Ultimate pressure : ?5x10-6 Torr ? Source Process : SiH4, N2O, CF4 ? RF generators : 13.56MHz and 400KHz ? Gas : line and cabinet installation with safety parts (automatic control) ? Scrubber : burn and wet type installation |
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첨부파일 |
HiDep.jpg |